IXTP05N100P - MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263

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MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
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Technische Daten für IXTP05N100P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTP05N100P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
Serie : Polar™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 500mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 196pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 50W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXTP05N100P

Datenblätter : IXTP05N100P.pdf

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