IPL60R185P7AUMA1 - MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
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Interne Teilenummer
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
318090 Pieces
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Technische Daten für IPL60R185P7AUMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPL60R185P7AUMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
Serie :
CoolMOS™ P7
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
185 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 280µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1081pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
81W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-VSON-4
Paket / fall :
4-PowerTSFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPL60R185P7AUMA1
Datenblätter :
IPL60R185P7AUMA1.pdf
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