NTLUS3C18PZTBG - MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN

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MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
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Technische Daten für NTLUS3C18PZTBG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NTLUS3C18PZTBG
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1570pF @ 6V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 660mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-UDFN (1.6x1.6)
Paket / fall : 6-PowerUFDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : NTLU , NTLUS3C

Dokumente für NTLUS3C18PZTBG

Datenblätter : NTLUS3C18PZTBG.pdf

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