RGP10J - DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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USD 0.03033
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Technische Daten für RGP10J

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RGP10J
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 250ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package : DO-41
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RGP10J

Datenblätter : RGP10J.pdf

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