STL3N10F7 - MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22

Hersteller Teilenummer

STL3N10F7

Interne Teilenummer

AX-STL3N10F7

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

483820 Pieces

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Technische Daten für STL3N10F7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STL3N10F7

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22

Serie : DeepGATE™, STripFET™ VII

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 408pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.4W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerFlat™ (2x2)

Paket / fall : 6-PowerWDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : STL3N10F7.pdf

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