3LN01C-TB-E - MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

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MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
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Technische Daten für 3LN01C-TB-E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 3LN01C-TB-E
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 150mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.58nC @ 10V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 250mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 3-CP
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : 3LN , 3LN01

Dokumente für 3LN01C-TB-E

Datenblätter : 3LN01C-TB-E.pdf

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