SIHFR1N60ATR-GE3 - MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA

Hersteller Teilenummer

SIHFR1N60ATR-GE3

Interne Teilenummer

AX-SIHFR1N60ATR-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SIHFR1N60ATR-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIHFR1N60ATR-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 840mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 229pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 36W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D-PAK (TO-252AA)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIHFR , SIHFR1N6

Dokumente für SIHFR1N60ATR-GE3

Datenblätter : SIHFR1N60ATR-GE3.pdf

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