IPB026N06NATMA1 - MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

Hersteller Teilenummer

IPB026N06NATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPB026N06NATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

344900 Pieces

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Technische Daten für IPB026N06NATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPB026N06NATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 75µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3W (Ta), 136W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPB02 , IPB026N

Dokumente für IPB026N06NATMA1

Datenblätter : IPB026N06NATMA1.pdf

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