IPW60R165CPFKSA1 - MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IPW60R165CPFKSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPW60R165CPFKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 790µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 192W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO247-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPW60R165CPFKSA1
Datenblätter : IPW60R165CPFKSA1.pdf
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