BAS316/DG/B3,115 - DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BAS316/DG/B3,115
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BAS316/DG/B3,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236
Serie : Automotive, AEC-Q101, BAS16
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 250mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 80V
Kapazität @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : TO-236AB
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BAS316/DG/B3,115
Datenblätter : BAS316/DG/B3,115.pdf
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