IPB10N03LB G - MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
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Technische Daten für IPB10N03LB G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPB10N03LB G
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1639pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 58W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO263-3
Paket / fall : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IPB10N03LB G

Datenblätter : IPB10N03LB G.pdf

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