FDI045N10A - MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDI045N10A
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für FDI045N10A
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDI045N10A
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5270pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 263W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I2PAK (TO-262)
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FDI045N10A
Datenblätter : FDI045N10A.pdf
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