VS-4EWH02FNTR-M3 - DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
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Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für VS-4EWH02FNTR-M3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : VS-4EWH02FNTR-M3
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK
Serie : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 4A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 20ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 3µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : D-PAK (TO-252AA)
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für VS-4EWH02FNTR-M3
Datenblätter : VS-4EWH02FNTR-M3.pdf
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