FDB8870 - MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FDB8870

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDB8870
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 23A (Ta), 160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 132nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 160W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263AB
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : FDB8870.pdf

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