FDB8870 - MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDB8870
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
478135 Pieces
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Technische Daten für FDB8870
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
FDB8870
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
23A (Ta), 160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.9 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
132nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5200pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
160W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263AB
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für FDB8870
Datenblätter :
FDB8870.pdf
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