FDS6675BZ - MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDS6675BZ
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1325225 Pieces
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Technische Daten für FDS6675BZ
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
FDS6675BZ
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2470pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SOIC
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für FDS6675BZ
Datenblätter :
FDS6675BZ.pdf
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