FDB047N10 - MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDB047N10
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für FDB047N10
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDB047N10
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 210nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 15265pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 375W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FDB047N10
Datenblätter : FDB047N10.pdf
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