NVD5C648NLT4G - T6 60V LL DPAK

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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
T6 60V LL DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für NVD5C648NLT4G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NVD5C648NLT4G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : T6 60V LL DPAK
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Ta), 89A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK (SINGLE GAUGE)
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : NVD5 , NVD5C6

Dokumente für NVD5C648NLT4G

Datenblätter : NVD5C648NLT4G.pdf

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