DMP2007UFG-7 - MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8

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MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
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Technische Daten für DMP2007UFG-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMP2007UFG-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4621pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.3W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerDI3333-8
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMP2007UFG-7

Datenblätter : DMP2007UFG-7.pdf

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