EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR - IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße : 4Gb (128M x 32)
Taktfrequenz : 533MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 134-WFBGA
Supplier Device Package : 134-FBGA (10x11.5)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : EDB4432B , EDB4432BBBJ-
Dokumente für EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR
Datenblätter : EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR.pdf
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