IPI12CN10N G - MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3

Hersteller Teilenummer

IPI12CN10N G

Interne Teilenummer

AX-IPI12CN10N G

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

8416 Pieces

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Technische Daten für IPI12CN10N G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPI12CN10N G

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 67A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.9 mOhm @ 67A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 83µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4320pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO262-3

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPI1 , IPI12C

Dokumente für IPI12CN10N G

Datenblätter : IPI12CN10N G.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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PEF220BJ80238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8000PF 15KV R230 DISK.
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