IRFHS9301TR2PBF - MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IRFHS9301TR2PBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRFHS9301TR2PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Ta), 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 580pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-PQFN (2x2)
Paket / fall : 6-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRFHS9301TR2PBF
Datenblätter : IRFHS9301TR2PBF.pdf
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