SIA910EDJ-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SIA910EDJ-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SIA910EDJ-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
455pF @ 6V
Leistung max :
7.8W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SIA910EDJ-T1-GE3
Datenblätter :
SIA910EDJ-T1-GE3.pdf
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