IPD13N03LA G - MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IPD13N03LA G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
66030 Pieces
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Technische Daten für IPD13N03LA G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPD13N03LA G
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1043pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 46W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO252-3
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPD13N03LA G
Datenblätter : IPD13N03LA G.pdf
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