STS3P6F6 - MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

Hersteller Teilenummer

STS3P6F6

Interne Teilenummer

AX-STS3P6F6

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

12744 Pieces

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Technische Daten für STS3P6F6

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STS3P6F6

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

Serie : DeepGATE™, STripFET™ VI

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 48V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.7W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SO

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : ST , STS3

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Datenblätter : STS3P6F6.pdf

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