BSR316PH6327XTSA1 - MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
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MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
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Technische Daten für BSR316PH6327XTSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSR316PH6327XTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 360mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 170µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 165pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500mW (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-SC-59
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSR316PH6327XTSA1
Datenblätter : BSR316PH6327XTSA1.pdf
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