FDMA6676PZ - MOSFET P-CH 30V 11A

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MOSFET P-CH 30V 11A
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FDMA6676PZ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDMA6676PZ
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 11A
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2160pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.4W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-MicroFET (2x2)
Paket / fall : 6-PowerWDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : FDM , FDMA6

Dokumente für FDMA6676PZ

Datenblätter : FDMA6676PZ.pdf

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