BSM75GD120DN2BOSA1 - IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4008 Pieces
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Technische Daten für BSM75GD120DN2BOSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSM75GD120DN2BOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
IGBT-Typ : -
Aufbau : Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 103A
Leistung max : 520W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1.5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 5.1nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSM75GD120DN2BOSA1
Datenblätter : BSM75GD120DN2BOSA1.pdf
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