AS4C16M16MSA-6BIN - IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA
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Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
88870 Pieces
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Technische Daten für AS4C16M16MSA-6BIN
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
AS4C16M16MSA-6BIN
Hersteller :
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung :
IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM - Mobile SDRAM
Speichergröße :
256Mb (16M x 16)
Taktfrequenz :
166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
-
Zugriffszeit :
5.5ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
54-VFBGA
Supplier Device Package :
54-FBGA (8x8)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für AS4C16M16MSA-6BIN
Datenblätter :
AS4C16M16MSA-6BIN.pdf
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