STU9N60M2 - MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK

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MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
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Technische Daten für STU9N60M2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STU9N60M2
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
Serie : MDmesh™ II Plus
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 780 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 320pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : IPAK (TO-251)
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STU9N60M2

Datenblätter : STU9N60M2.pdf

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