SIHH120N60E-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8

Hersteller Teilenummer

SIHH120N60E-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SIHH120N60E-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für SIHH120N60E-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIHH120N60E-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8

Serie : E

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 156W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® 8 x 8

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SIHH120N60E-T1-GE3

Datenblätter : SIHH120N60E-T1-GE3.pdf

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