GSID200A170S3B1 - SILICON IGBT MODULES

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
SILICON IGBT MODULES
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für GSID200A170S3B1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : GSID200A170S3B1
Hersteller : Global Power Technologies Group
Beschreibung : SILICON IGBT MODULES
Serie : Amp+™
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : 2 Independent
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 400A
Leistung max : 1630W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 26nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : D-3 Module
Supplier Device Package : D3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für GSID200A170S3B1

Datenblätter : GSID200A170S3B1.pdf

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