BSB056N10NN3GXUMA1 - MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Hersteller Teilenummer

BSB056N10NN3GXUMA1

Interne Teilenummer

AX-BSB056N10NN3GXUMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

299510 Pieces

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Technische Daten für BSB056N10NN3GXUMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSB056N10NN3GXUMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Ta), 83A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5500pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 78W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : MG-WDSON-2, CanPAK M™

Paket / fall : 3-WDSON

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : BSB056N10NN3GXUMA1.pdf

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