FCP25N60N-F102 - MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
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MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
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Technische Daten für FCP25N60N-F102
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FCP25N60N-F102
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
Serie : SupreMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3352pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 216W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FCP25N60N-F102
Datenblätter : FCP25N60N-F102.pdf
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