IRF7902PBF - MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC

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MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
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Technische Daten für IRF7902PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF7902PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.4A, 9.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.25V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 580pF @ 15V
Leistung max : 1.4W, 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IRF7902PBF

Datenblätter : IRF7902PBF.pdf

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