TK55D10J1(Q) - MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

Hersteller Teilenummer

TK55D10J1(Q)

Interne Teilenummer

AX-TK55D10J1(Q)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

6848 Pieces

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Technische Daten für TK55D10J1(Q)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK55D10J1(Q)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 55A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5700pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 140W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220(W)

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TK55D10J1(Q)

Datenblätter : TK55D10J1(Q).pdf

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