TPS1101DR - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Hersteller Teilenummer

TPS1101DR

Interne Teilenummer

AX-TPS1101DR

Hersteller

Texas Instruments

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

481965 Pieces

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Technische Daten für TPS1101DR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPS1101DR

Hersteller : Texas Instruments

Beschreibung : MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 15V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.25nC @ 10V

Vgs (Max) : +2V, -15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 791mW (Ta)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOIC

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : TPS1101DR.pdf

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