TPS1101DR - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-TPS1101DR
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
481965 Pieces
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Technische Daten für TPS1101DR
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TPS1101DR
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
15V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11.25nC @ 10V
Vgs (Max) :
+2V, -15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
791mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SOIC
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TPS1101DR
Datenblätter :
TPS1101DR.pdf
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