SI5920DC-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
RoHS-Status
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Technische Daten für SI5920DC-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI5920DC-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 4V
Leistung max : 3.12W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package : 1206-8 ChipFET™
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI5920DC-T1-GE3
Datenblätter : SI5920DC-T1-GE3.pdf
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