IRF7101TRPBF - MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC

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Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
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Technische Daten für IRF7101TRPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF7101TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 320pF @ 15V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IRF7 , IRF710

Dokumente für IRF7101TRPBF

Datenblätter : IRF7101TRPBF.pdf

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