SQ2303ES-T1_GE3 - MOSFET P-CHAN 30V SOT23
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CHAN 30V SOT23
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SQ2303ES-T1_GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SQ2303ES-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CHAN 30V SOT23
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 210pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.9W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-236 (SOT-23)
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SQ2303ES-T1_GE3
Datenblätter : SQ2303ES-T1_GE3.pdf
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