IPA65R650CEXKSA1 - MOSFET N-CH 650V TO-220-3

Hersteller Teilenummer

IPA65R650CEXKSA1

Interne Teilenummer

AX-IPA65R650CEXKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V TO-220-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

359690 Pieces

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Technische Daten für IPA65R650CEXKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPA65R650CEXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V TO-220-3

Serie : CoolMOS™ CE

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 210µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 28W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220 Full Pack

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IPA65R650CEXKSA1

Datenblätter : IPA65R650CEXKSA1.pdf

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