STFI11N65M2 - MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP

Hersteller Teilenummer

STFI11N65M2

Interne Teilenummer

AX-STFI11N65M2

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

62170 Pieces

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Technische Daten für STFI11N65M2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STFI11N65M2

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP

Serie : MDmesh™ II Plus

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 670 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 410pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 25W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I2PAKFP (TO-281)

Paket / fall : TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : STFI11N65M2.pdf

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