STD1HN60K3 - MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STD1HN60K3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für STD1HN60K3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STD1HN60K3
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Serie : SuperMESH3™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 27W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für STD1HN60K3
Datenblätter : STD1HN60K3.pdf
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