IPB049N06L3GATMA1 - MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPB049N06L3GATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPB049N06L3GATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 58µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8400pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 115W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPB049N06L3GATMA1
Datenblätter : IPB049N06L3GATMA1.pdf
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