SI4946CDY-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

Hersteller Teilenummer

SI4946CDY-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SI4946CDY-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1206470 Pieces

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Technische Daten für SI4946CDY-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI4946CDY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.2A (Ta), 6.1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40.9 mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 30V

Leistung max : 2W (Ta), 2.8W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SO

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SI4946CDY-T1-GE3

Datenblätter : SI4946CDY-T1-GE3.pdf

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