ZXMN2A04DN8TC - MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Hersteller Teilenummer

ZXMN2A04DN8TC

Interne Teilenummer

AX-ZXMN2A04DN8TC

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

32697 Pieces

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Technische Daten für ZXMN2A04DN8TC

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ZXMN2A04DN8TC

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA (Min)

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22.1nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1880pF @ 10V

Leistung max : 1.8W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SOP

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : ZXMN , ZXMN2A

Dokumente für ZXMN2A04DN8TC

Datenblätter : ZXMN2A04DN8TC.pdf

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