BSM300D12P2E001 - MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Hersteller Teilenummer

BSM300D12P2E001

Interne Teilenummer

AX-BSM300D12P2E001

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

9059 Pieces

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Technische Daten für BSM300D12P2E001

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSM300D12P2E001

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 68mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 35000pF @ 10V

Leistung max : 1875W

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : Module

Supplier Device Package : Module

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für BSM300D12P2E001

Datenblätter : BSM300D12P2E001.pdf

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