IRFB5620PBF - MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
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Technische Daten für IRFB5620PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRFB5620PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1710pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 144W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IRFB5620PBF

Datenblätter : IRFB5620PBF.pdf

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