SIHD6N65ET1-GE3 - MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Hersteller Teilenummer

SIHD6N65ET1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SIHD6N65ET1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

605550 Pieces

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Technische Daten für SIHD6N65ET1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIHD6N65ET1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Serie : E

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 820pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 78W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252AA

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SIHD6N65ET1-GE3

Datenblätter : SIHD6N65ET1-GE3.pdf

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