RJK0332DPB-01#J0 - MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

Hersteller Teilenummer

RJK0332DPB-01#J0

Interne Teilenummer

AX-RJK0332DPB-01#J0

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

10480 Pieces

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Technische Daten für RJK0332DPB-01#J0

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RJK0332DPB-01#J0

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2180pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 45W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : LFPAK

Paket / fall : SC-100, SOT-669

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RJK0332DPB-01#J0

Datenblätter : RJK0332DPB-01#J0.pdf

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