FDC2612_F095 - MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT

Hersteller Teilenummer

FDC2612_F095

Interne Teilenummer

AX-FDC2612_F095

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für FDC2612_F095

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDC2612_F095

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 725 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 234pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SuperSOT™-6

Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDC2612_F095.pdf

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